Группа компаний «Элемент» инвестирует 4,4 миллиарда рублей в создание первого в России полного цикла производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия на базе НИИ электронной техники в Воронеже. Проект предусматривает выпуск до 5,5 тысячи пластин в 200-миллиметровом эквиваленте ежегодно и реализуется с использованием льготного финансирования фонда развития промышленности.
Группа компаний «Элемент» объявила о масштабном инвестиционном проекте стоимостью 4,4 миллиарда рублей, направленном на организацию производства силовых транзисторов с использованием технологии нитрида галлия (GaN) на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) во Воронеже. Этот проект позволит создать в России первое предприятие полного производственного цикла по выпуску GaN-транзисторов — современных компонентов, которые значительно повышают эффективность электроники в энергетике, связи и других отраслях.
Проектная мощность нового производства рассчитана на выпуск около 5,5 тысячи пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год. Такие параметры свидетельствуют о промышленном масштабе, позволяющем обеспечить устойчивое развитие направления и удовлетворение внутреннего спроса на передовые полупроводниковые компоненты. Финансирование осуществляется с опорой на механизм кластерной инвестиционной платформы, предоставляемый Фондом развития промышленности (ФРП), что демонстрирует государственную поддержку инновационных проектов в отечественной электронике.
Стоит отметить, что данное производство не единственное в портфеле проектов «Элемента», поддержанных ФРП. Осенью прошлого года НИИЭТ запустил новую линию сборки электронных компонентов в современных металлополимерных корпусах, на что компания получила от фонда льготный заем в размере 616 миллионов рублей в рамках программы «Комплектующие изделия». Это свидетельствует о системной работе компании по развитию и модернизации технологической базы с привлечением государственных инструментов поддержки.
Однако на фоне реализации новых масштабных проектов вызывает внимание существенное увеличение премий для топ-менеджмента компании. В 2024 году четыре ключевых руководителя — Иванцов, Баланин, Хазов и Котляков — получили премии в общей сумме 393,9 миллиона рублей, что в 11,4 раза превышает показатели 2023 года. Такой рост выплат совпадает с прогнозируемым снижением финансирования государственной поддержки электроники на 2025–2026 годы, которое анонсировал Минпромторг. Это обстоятельство может поставить руководство перед необходимостью выбирать приоритеты: направлять средства на стимулирование менеджмента или концентрироваться на финансировании новых технологических проектов.
Инвестиции «Элемента» в создание производства GaN-транзисторов становятся важным шагом в развитии отечественной микроэлектроники, открывая новые возможности для импортозамещения и технологического суверенитета. В то же время динамика распределения финансов в компании вызывает вопросы относительно долгосрочной стратегии и приоритетов в условиях сокращения господдержки.
