Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе РАН сообщает о предстоящем завершении строительства Центра научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области электроники. Директор института Сергей Иванов поделился этой информацией на пресс-конференции в «Интерфаксе».
По его словам, новый Центр импортозамещающей гетероструктурной электронной компоненты (ЭКБ) будет готов к полной эксплуатации к 2027 году. В центре будет работать команда высококвалифицированных кадров, чья основная задача заключается в проведении опытно-конструкторских разработок и подготовке инновационных решений для промышленного применения.
Реализация проектов на базе центра позволит наладить крупное производство и внедрить отечественные технологии в промышленность. Иванов отметил, что к моменту запуска центра в 2026 году его партнерами станут как промышленные предприятия, так и научные организации. В числе партнеров запланировано сотрудничество с Зеленоградским нанотехнологическим центром.
Директор также напомнил, что идея о создании этого центра была озвучена давно, и он будет функционировать на базе отделения института в Приморском районе, где изначально планировалось открыть НИОКР-центр.
Центр займёт три с половиной тысячи квадратных метров чистых помещений, что является критически важным для полупроводникового производства. В рамках его работы предусмотрено создание восьми технологических маршрутов в различных областях.
Иванов добавил, что в центре будут разрабатываться технологии для лазеров, солнечных батарей, чипов и других электронных устройств. Главным направлением станет фотоника, которая используется в самых разных сферах, от космических технологий до медицины.
