На торжественном заседании ученого совета, посвященном 60-летию Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, ведущие российские ученые, представители власти и промышленности рассказали о взаимодействии с НИИ, обозначили важнейшие достижения и отметили основополагающую роль основателя Института, академика Анатолия Ржанова в развитии научного центра.
Директор ИФП СО РАН, академик Александр Васильевич Латышев подчеркнул, что результаты Института всегда были востребованы промышленностью, особенно сегодня, когда полупроводниковые инновации определяют развитие современного цифрового мира.
Старейший сотрудник ИФП СО РАН, член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный подчеркнул важность прогресса в области физики полупроводников для всех существующих индустрий. Он поздравил коллектив Института с юбилеем и пожелал новых успехов в развитии полупроводниковой науки и техники.
Главный научный сотрудник лаборатории теоретической физики ИФП СО РАН, академик Александр Владимирович Чаплик провел параллель с живыми системами, отметив значимость объединения Института и его развитие под руководством А.В. Ржанова. Он подчеркнул, что новая тематика, связанная с получением и исследованием тонких полупроводниковых пленок, привела к возникновению новой области — физики низкоразмерных систем.
Институт физики полупроводников имеет значительные достижения в области фотоники, не уступая мировым научным центрам. Создание мощных сверхвысокочастотных фотодиодов, миниатюрных лазеров и источников одиночных фотонов подтверждает высокий уровень научных исследований в Институте.
Председатель Сибирского отделения РАН, академик Валентин Николаевич Пармон отметил, что Институт физики полупроводников успешно сочетает фундаментальные и прикладные исследования, а также производство наукоемкой продукции. Он выразил уверенность в том, что академик Ржанов смог объединить лучшие качества двух институтов, создав успешный научный центр.
