Специалисты Российского технологического университета МИРЭА представили новую конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, что открывает новые горизонты для применения в ядерной энергетике и космической технике. Об этом пишет ТАСС.
Разработка использует алмазный слой толщиной менее одного микрона, созданный с помощью термохимической обработки, что позволяет значительно улучшить электрофизические характеристики устройства, устраняя дефекты поверхности.
По словам ведущего разработчика, Андрея Алтухова, заведующего лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника», новинка способна обеспечить на 10-15% большую производительность по сравнению с традиционными аналогами. Ключевыми преимуществами алмазного транзистора являются высокая термостойкость, радиационная устойчивость и энергоэффективность.
Данное устройство может быть внедрено в системы нового поколения связи, радиолокационные станции, а также в медицинское оборудование и промышленную электронику. Специфические характеристики делают его особенно ценным для эксплуатации в экстремальных условиях, таких как космические миссии и ядерные установки, где кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.
Разработка алмазных транзисторов, безусловно, станет важным шагом в укреплении технологической независимости России в области высоких технологий.
